Caracterizacao de heterojuncoes em materiais nanoestruturados por tecnicas de microscopia eletronica.

• Processo: 05/02347-1
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de novembro de 2005
• Data de Término da vigência: 30 de abril de 2006
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica
• Pesquisador responsável: José Arana Varela
• Beneficiário: Marcelo Ornaghi Orlandi
• Instituição Sede: Instituto de Química (IQ). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Araraquara. Araraquara , SP, Brasil
• Assunto(s): Óxido de estanho Síntese Materiais nanoestruturados Microscopia eletrônica
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Heterojuncoes | Materiais Nanoestruturados | Microscopia Eletronica | Oxido De Estanho | Oxido De Indio | Sintese | Materiais Nanoestruturados

Resumo

Neste projeto pretende-se sintetizar e caracterizar as propriedades estruturais e microestruturais de heterojunções em materiais nanoestruturados crescidos por redução carbotérmica. Os materiais utilizados serão SnO2 e o sistema SnO2-In2O3 pelo fato desses materiais terem propriedades ópticas interessantes e o sistema SnO2-In2O3 apresentar diferentes resistividades em função da adição de In na matriz cristalina do SnO2 e, por isso, terem potenciais aplicações em optoeletrônica. O uso de microscopia eletrônica de transmissão (TEM), principalmente no modo de alta resolução (HRTEM), para caracterização das junções é de fundamental importância uma vez que essa técnica permite a visualização do material em escala de alguns angströms (através do contraste produzido pelo arranjo periódico da rede com o feixe de elétrons coerente incidente sobre a amostra) e que a qualidade das junções é um fator determinante para uma possível aplicação tecnológica desses materiais.