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(Referência obtida automaticamente do Web of Science, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Thermodynamic and Transport Study of Electron- and Hole-Doped MGa3 Single Crystals (M = Fe, Co)

Texto completo
Autor(es):
Cabrera-Baez, M. [1] ; Thizay Magnavita, E. [1] ; Ribeiro, Raquel A. [1] ; Avila, Marcos A. [1]
Número total de Autores: 4
Afiliação do(s) autor(es):
[1] Univ Fed ABC, CCNH, BR-09210580 Santo Andre, SP - Brazil
Número total de Afiliações: 1
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS; v. 43, n. 6, p. 1988-1992, JUN 2014.
Citações Web of Science: 4
Resumo

FeGa3 and related compounds have been subjects of recent investigation for their interesting thermoelectric, electronic, and magnetic behaviors. Here, single crystals of FeGa3-y Ge (y) were grown by the self-flux technique with effective y = 0, 0.09(1), 0.11(1), and 0.17(1) in order to investigate the evolution of the diamagnetic semiconducting compound FeGa3 into a ferromagnetic metal, which occurs through the electron doping and band structure modifications that result from substitution of Ge for Ga. Heat capacity and magnetization measurements reveal non-Fermi liquid behavior in the vicinity of the transition from a paramagnetic to ferromagnetic ground state, suggesting the presence of a ferromagnetic quantum critical point (FMQCP). We also present the first results of hole doping in this system by the growth of FeGa3-y Zn (y) single crystals, and electron- and hole doping of the related compound CoGa3 by CoGa3-y Ge (y) and CoGa3-y Zn (y) crystal growths, aiming to search for further routes to band structure and charge carrier tuning, thermoelectric optimization, and quantum criticality in this family of compounds. The ability to tune the charge carrier type warrants further investigation of the MGa3 system's thermoelectric properties above room temperature. (AU)

Processo FAPESP: 12/17562-9 - Preparação de monocristais orientados para estudos de anisotropias eletrônicas, magnéticas e térmicas
Beneficiário:Marcos de Abreu Avila
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Regular
Processo FAPESP: 11/23795-3 - Busca por novos e melhores termoelétricos
Beneficiário:Raquel de Almeida Ribeiro
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Regular
Processo FAPESP: 11/19924-2 - Estudo e desenvolvimento de novos materiais avançados: eletrônicos, magnéticos e nanoestruturados: uma abordagem interdisciplinar
Beneficiário:Carlos Rettori
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Temático