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(Referência obtida automaticamente do Web of Science, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Pressure-induced valence change of YbNiGe3 investigated by resonant x-ray emission spectroscopy at the Yb L-3 edge

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Autor(es):
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Sato, Hitoshi [1] ; Yamaoka, Hitoshi [2] ; Utsumi, Yuki [3] ; Nagata, Heisuke [3] ; Avila, Marcos A. [4] ; Ribeiro, Raquel A. [4] ; Umeo, Kazunori [5] ; Takabatake, Toshiro [6, 7] ; Zekko, Yumiko [8] ; Mizuki, Jun'ichiro [8, 9] ; Lin, Jung-Fu [10] ; Hiraoka, Nozomu [11] ; Ishii, Hirofumi [11] ; Tsuei, Ku-Ding [11] ; Namatame, Hirofumi [1] ; Taniguchi, Masaki [1, 3]
Número total de Autores: 16
Afiliação do(s) autor(es):
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[1] Hiroshima Univ, Hiroshima Synchrotron Radiat Ctr, Higashihiroshima 7398526 - Japan
[2] RIKEN, SPring Ctr 8, Sayo, Hyogo 6795148 - Japan
[3] Hiroshima Univ, Grad Sch Sci, Higashihiroshima 7398526 - Japan
[4] Univ Fed ABC, Ctr Ciencias Nat & Humanas, BR-09210971 Santo Andre, SP - Brazil
[5] Hiroshima Univ, N BARD, Cryogen & Instrumental Anal Div, Higashihiroshima 7398526 - Japan
[6] Hiroshima Univ, AdSM, Dept Quantum Matter, Higashihiroshima 7398530 - Japan
[7] Hiroshima Univ, Inst Adv Mat Res, Higashihiroshima 7398530 - Japan
[8] Kwansei Gakuin Univ, Grad Sch Sci & Technol, Sanda, Hyogo 6691337 - Japan
[9] Japan Atom Energy Agcy, SPring 8, Sayo, Hyogo 6795148 - Japan
[10] Univ Texas Austin, Dept Geol Sci, Austin, TX 78712 - USA
[11] Natl Synchrotron Radiat Res Ctr, Hsinchu 30076 - Taiwan
Número total de Afiliações: 11
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: Physical Review B; v. 89, n. 4 JAN 10 2014.
Citações Web of Science: 12
Resumo

Pressure dependence of the Yb valence in YbNiGe3 has been investigated up to 15.6 GPa at 300 K and up to 7.7 GPa at 17 K by means of x-ray absorption spectroscopy in L alpha(1) partial fluorescence yield mode and resonant x-ray emission spectroscopy around the Yb L-3 absorption edge. The Yb valence in YbNiGe3 at ambient pressure strongly fluctuates with the mean valence of v = 2.52 +/- 0.01 at 300 K. The Yb valence rapidly changes toward a trivalent state with pressure up to similar to 5 GPa, slowly increases up to similar to 10 GPa, and then reaches a saturated value of v similar to 2.87 at 15.6 GPa. The Yb valence at 17 K slightly decreases compared to that at 300 K; v similar to 2.45 at ambient pressure and similar to 2.72 at 7.7 GPa. We found that the pressure-induced change in the intensity of a quadrupole component in the x-ray absorption spectra shows the same trend as the Yb valence in YbNiGe3. In contrast to YbNiGe3, the Yb valence in YbNiSi3 is nearly 3 at ambient pressure with almost no temperature dependence. (AU)

Processo FAPESP: 12/17562-9 - Preparação de monocristais orientados para estudos de anisotropias eletrônicas, magnéticas e térmicas
Beneficiário:Marcos de Abreu Avila
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Regular
Processo FAPESP: 11/23795-3 - Busca por novos e melhores termoelétricos
Beneficiário:Raquel de Almeida Ribeiro
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Regular
Processo FAPESP: 11/19924-2 - Estudo e desenvolvimento de novos materiais avançados: eletrônicos, magnéticos e nanoestruturados: uma abordagem interdisciplinar
Beneficiário:Carlos Rettori
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Temático