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Interação elétron-fônon em heteroestruturas semicondutoras ponto/poço quântico

Título (Inglês): Electron-phonon interaction in quantum-dot/quantum-well semiconductor heterostructures
Texto completo
Autor(es):

Comas, F.; Studart Filho, N.1

Afiliação do(s) autor(es):

1Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia. Departamento de Física

Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: Physical Review B; v. 69, n. 23, p. 235321-1-235321-8, jun. 2004.
Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física
Assunto(s):

Semicondutores (físico-química)

Polarização

Resumo
Polar optical phonons are studied in the framework of the dielectric continuum approach for a prototypical quantum-dot/quantum-well (QD/QW) heterostructure, including the derivation of the electron-phonon interaction Hamiltonian and a discussion of the effects of this interaction on the electronic energy levels. The particular example of the CdS/HgS QD/QW is addressed and the system is modeled according to the spherical geometry, considering a core sphere of material "1" surrounded by a spherically concentric layer of material "2," while the whole structure is embedded in a host matrix assumed as an infinite dielectric medium. The strength of the electron-LO phonon coupling is discussed in detail and the polaronic corrections to both ground-state and excited-state electron energy levels are calculated. Interesting results concerning the dependence of polaronic corrections with the QD/QW structure size are analyzed. (AU)

Processo FAPESP: 00/07691-9 - Sistemas eletrônicos confinados em nanoestruturas
Beneficiário:Nelson Studart Filho
Linha de fomento: Auxílio à Pesquisa - Temático
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