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Estudo das propriedades eletrônicas, estruturais e de transporte de clatratos para aplicações termoelétricas através de cálculos de primeiros princípios

Processo: 13/14065-7
Linha de fomento:Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
Vigência (Início): 01 de novembro de 2014
Vigência (Término): 31 de agosto de 2015
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Alex Antonelli
Beneficiário:Robert Luis González Romero
Instituição-sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas, SP, Brasil
Vinculado ao auxílio:10/16970-0 - Modelagem computacional da matéria condensada: uma abordagem em múltiplas escalas, AP.TEM
Assunto(s):Propriedades eletrônicas   Propriedades de transporte

Resumo

Este projeto tem por objetivo o estudo da estabilidade estrutural, propriedades eletrônicas e vibracionais, bem como as propriedades de transporte, tais como, condutividade elétrica, o coeficiente Seebeck e a contribuição eletrônica para a condutividade térmica de clatratos semicondutores de Ge contendo átomos convidados de terras raras, que são materiais de interesse em aplicações termoelétricas, através de cálculos de primeiros princípios. O projeto envolve a colaboração com o Prof. Caetano R. Miranda e com um grupo experimental liderado pelo Prof. Marcos A. Avila, ambos da UFABC, sendo que o grupo do Prof. Avila atua na área da síntese desses materiais (AU)

Publicações científicas (4)
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
GONZALEZ-ROMERO, ROBERT L.; ANTONELLI, ALEX; CHAVES, ANDERSON S.; MELENDEZ, JUAN J. Ultralow and anisotropic thermal conductivity in semiconductor As2Se3. Physical Chemistry Chemical Physics, v. 20, n. 3, p. 1809-1816, JAN 21 2018. Citações Web of Science: 0.
GONZALEZ-ROMERO, ROBERT L.; ANTONELLI, ALEX; MELENDEZ, JUAN J. Insights into the thermoelectric properties of SnSe from ab initio calculations. Physical Chemistry Chemical Physics, v. 19, n. 20, p. 12804-12815, MAY 28 2017. Citações Web of Science: 9.
GONZALEZ-ROMERO, ROBERT L.; ANTONELLI, A. Estimating carrier relaxation times in the Ba8Ga16Ge30 clathrate in the extrinsic regime. Physical Chemistry Chemical Physics, v. 19, n. 4, p. 3010-3018, 2017. Citações Web of Science: 2.
GONZALEZ-ROMERO, ROBERT L.; MIRANDA, CAETANO R.; AVILA, MARCOS A.; ANTONELLI, ALEX. Hosting of La3+ guest ions in type-I Ge clathrates: A first-principles characterization for thermoelectric applications. COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE, v. 122, p. 46-56, SEP 2016. Citações Web of Science: 1.

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