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Propriedades eletrônicas, magnéticas e de transporte em nanoestruturas

Processo: 10/16202-3
Linha de fomento:Auxílio à Pesquisa - Temático
Vigência: 01 de abril de 2011 - 30 de novembro de 2016
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Adalberto Fazzio
Beneficiário:
Instituição-sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo, SP, Brasil
Pesquisadores principais:Antônio José Roque da Silva ; Gustavo Martini Dalpian
Pesq. associados:Alexandre Reily Rocha ; Gustavo Martini Dalpian ; Jeverson Teodoro Arantes Junior ; Márcio Teixeira do Nascimento Varella ; Paulo Cesar Piquini ; Pedro Paulo de Mello Venezuela ; Roberto Hiroki Miwa ; Tome Mauro Schmidt ; Wanderlã Luis Scopel
Auxílios(s) vinculado(s):15/08086-7 - Transporte eletrônico em isolantes topológicos-3D, AV.BR
11/14185-7 - Cooperação UFABC/Universidad de Antioquia para o estudo de defeitos e impurezas em cristais, superfícies e nanoestruturas de óxidos semicondutores de gap largo, AV.EXT
Bolsa(s) vinculada(s):13/24795-2 - Interação da molécula de O2 com a superfície de ZnO, BP.IC
11/23084-0 - Nanobiosensores de grafeno: propriedades de transporte eletrônico, BP.PD
11/21719-8 - Simulações ab initio de sistemas memristivos: da matéria prima ao dispositivo, BP.DR
11/14398-0 - Propriedades Eletrônicas e de Transporte em Isolantes Topológicos: Simulações ab-initio, BP.PD
Assunto(s):Nanotecnologia  Materiais nanoestruturados  Propriedades de transporte  Condução eletrônica  Simulação por computador  Teoria do funcional da densidade 

Resumo

O objetivo deste projeto é o estudo das propriedades físicas de novos materiais, através de métodos ab initio ("estado-da-arte"), focando em nanosistemas. O grupo já detém uma "expertise" no campo em questão, concentrando-se em 2 pilares básicos e dando continuidade a projetos anteriores, onde obtivemos muito sucesso: (i) entendimento na funcionalização de materiais, tais como: estruturas 0D, 1D e 2D de carbono, óxido de zinco, silício, nitreto de boro etc.; (ii) desenvolvimento de algoritmos para compreender as propriedades de sistemas nanoscópicos, tais como: transporte com interação elétron-fônon, termoeletricidade, dispositivo dual-gate, inclusão de spin-órbita, transporte eletrônico no formalismo do Time-Dependent-DFT. (AU)

Matéria(s) publicada(s) na Agência FAPESP sobre o auxílio:
O segredo do memoristor 
Brasileiros são eleitos <i>fellows</i> da World Academy of Sciences 
Matéria(s) publicada(s) na Revista Pesquisa FAPESP sobre o auxílio:
O segredo do memoristor 
Eletricidade de muitas formas 
Menos perda de energia 
Ourivesaria em átomos 
Ourivesaria em átomos 

Publicações científicas
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
PADILHA, A. C. M.; RAEBIGER, H.; ROCHA, A. R.; DALPIAN, G. M. Charge storage in oxygen deficient phases of TiO2: defect Physics without defects. SCIENTIFIC REPORTS, v. 6, JUL 1 2016. Citações Web of Science: 2.

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